- physikalische Prozesse im Si(Li), wie z.B. die Absorption der langwelligen Gitterstrahlung durch Gitterfehler
- Summenpeaks durch das gleichzeitige Eintreffen von Röntgenstrahlung (schlechter werdende Impulstrennung bei hohen Zählraten, d.h. zu hohem Strahlstrom)
- Peaküberlappungen von Elementen mit ähnlichen Röntgen-Peaks, die durch die Energieauflösung des Detektors nicht getrennt werden können
- Escape-Peaks im Spektrum durch die auftretende Si-Fluoreszenz (1,739 eV)
- ungünstige Wahl der Anregungsenergie (Überanregung leichter Elemente, ungenügende Anregung von Elementen mit höheren Röntgen-Peaks
- Aufladungseffekte der Probenoberfläche durch ungenügende Leitfähigkeit/Kontaktierung im REM
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AprUntersuchungsbedingungen / Anregungsbedingungen
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