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Untersuchungsbedingungen / Anregungsbedingungen

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  • physikalische Prozesse im Si(Li), wie z.B. die Absorption der langwelligen Gitterstrahlung durch Gitterfehler
  • Summenpeaks durch   das   gleichzeitige    Eintreffen   von    Röntgenstrahlung (schlechter werdende Impulstrennung bei hohen Zählraten, d.h. zu hohem Strahlstrom)
  • Peaküberlappungen von    Elementen    mit    ähnlichen    Röntgen-Peaks,    die       durch   die Energieauflösung des Detektors nicht getrennt werden können
  • Escape-Peaks im Spektrum durch die auftretende Si-Fluoreszenz (1,739 eV)
  • ungünstige Wahl    der    Anregungsenergie     (Überanregung     leichter     Elemente,    ungenügende Anregung von Elementen mit höheren Röntgen-Peaks
  • Aufladungseffekte der Probenoberfläche durch ungenügende Leitfähigkeit/Kontaktierung im REM