Nicht alle Primärelektronen des anregenden Elektronenstrahls führen zur Erzeugung von RE- oder SE-Elektronen. Die in der Probe verbleibenden Elektronen werden als Absorbierte Elektronen (AbE) bezeichnet und müssen zur Vermeidung von Aufladungen nach Masse abgeführt werden. Der dabei fließende Strom wird als Probenstrom (Absorbed Current) bezeichnet und kann zur Erzeugung eines Probenstrombildes verwendet werden.
Der Materialkontrast entsteht durch die Abhängigkeit des Probenstroms von der Leitfähigkeit des Probenmaterials bei der Abrasterung. Je höher die Leitfähigkeit eines Elementes oder einer Phase ist, umso heller wird es abgebildet (Abbildung).
Der EBIC-Kontrast (Electron Beam Induced Current – Contrast) entsteht als Ergebnis von Elektronen-Loch Paarbildungen in Halbleitermaterialien durch den anregenden Elektronenstrahl. Dabei wird innerhalb von Potentialbarrieren (von außen angelegte Offset-Spannung) ein Strom induziert, der durch seinen Einfluss auf die Zahl der AbE als Probenstromänderung abgebildet werden kann.
Das EBIC-Signal wird zur Messung und Sichtbarmachung von pn-Übergängen, zur Messung von Diffusionslängen und zur Beurteilung der Rekombinationseigenschaften von Halbleitern verwendet.
Als Detektoren werden empfindliche Strommessgeräte (Nano- oder Picoamperemeter) zum verwendet.
Abbildung: Materialkontrast dargestellt durch absorbierte Elektronen. SE Bild (links), AbE Bild (rechts).