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Grundlagen der FIB-Abscheidung Schritt für Schritt

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Die FIB-Abscheidung ist eine grundlegende FIB-Technik, die für die Materialabscheidung verwendet wird. Das Depositionsmaterial wird vom GIS in Form eines Gases geliefert. Der Ionenstrahl zersetzt Gasmoleküle lokal und lagert nahezu reines Material auf der Probenoberfläche ab. Die Gaseingangsstoffe werden auf Anfrage erworben.

Die folgenden Anweisungen beschreiben den Prozess der Ablagerung mit FIB und GIS:

Die Voraussetzungen:

  1. Die Probe ist auf dem Probentisch montiert.
  2. Kammer wird gepumpt
  3. Das REM ist arbeitsbereit, d.h. richtig fokussiert bei einer Probenkippung von 0° im Scanmodus UH-RESOLUTION

Hinweis: Wenn Sie sich nicht sicher sind, ob die vorherigen Schritte richtig ausgeführt wurden, lesen Sie bitte SEM-Grundlagen Schritt-für-Schritt.

  1. Erhitzen / Kühlen eines GIS-Vorläufers.
  2. Setzen Sie die Probenstufe für FIB – kippen Sie die Probenstufe auf 55° und stellen Sie die analytische WD ein.
  3. Ausrichten des Ionenstrahls – Fokussierung, Blendenzentrierung, Astigmatismuskorrektur.
  4. Fahren Sie mit der Positionierung des FIB-REM-Schnittpunktes fort.
  5. Navigieren Sie durch den Probentisch, um das gewünschte Merkmal auf der Probenoberfläche für das Fräsen zu finden.
  6. Bereiten Sie das hinzuzufügende Objekt vor und starten Sie den Beschichtungsprozess.
  7. Stellen Sie die Parameter der FIB-Bilderfassung ein – Scangeschwindigkeit, Bildformat und -größe, Infoleiste.
  8. Erfassen Sie ein Bild und nehmen Sie optional Einstellungen daran vor.
  9. Beenden Sie die Arbeit mit FIB und GIS – schalten Sie die Emission aus, parken Sie das GIS und stoppen Sie die Heizung / Kühlung des GIS.

Grundlagen der FIB-Ätzung Schritt für Schritt

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Die grundlegende Technik des Schneidens mit FIB kann durch die lokale Zuführung von Hilfsgasen, die vom GIS geliefert werden, verbessert werden. Diese Technik wird als FIB-Ätzen bezeichnet. Einige Gase beschleunigen den Fräsvorgang, andere verringern durch die Bildung flüchtiger Spezies die Wiederablagerung. Einige Gase ermöglichen selektives Ätzen, da sie nur mit bestimmten Materialien in der Probe reagieren. Dies ist nützlich, z.B. beim Verzögern. Die Gase werden auf Anfrage gekauft.

Die folgenden Anweisungen beschreiben den Prozess des unterstützten Ätzens mit FIB und GIS:

Die Voraussetzungen:

  1. Die Probe ist auf dem Probentisch montiert.
  2. die Kammer wird gepumpt
  3. Das REM ist arbeitsbereit, d.h. richtig fokussiert bei einer Kippung der Bühne um 0° im Scanmodus UH-RESOLUTION

Hinweis: Wenn Sie sich nicht sicher sind, ob die vorherigen Schritte richtig ausgeführt wurden, lesen Sie bitte SEM-Grundlagen Schritt-für-Schritt.

Hinweis: Ein Silizium-Wafer eignet sich besonders für grundlegende Tests der FIB-Lithographie. Wenn Sie den Kontrast von gefrästen Objekten weiter erhöhen möchten, können Sie den Wafer mit einer dünnen (20 nm) Schicht aus Pt oder Au sputtern.

  1. Erhitzen / Kühlen eines GIS-Precursors und warten auf Endtemperatur.
  2. Stellen Sie den Probentisch für FIB ein. Kippen Sie den Probentisch auf 55° und stellen Sie die analytischen Arbeitsabstand WD ein.
  3. Richten Sie den Ionenstrahl aus – Fokussierung, Blendenzentrierung, Astigmatismuskorrektur.
  4. Fahren Sie mit der Positionierung des FIB-REM-Schnittpunktes fort.
  5. Navigieren Sie durch den Probentisch, um das gewünschte Merkmal auf der Probenoberfläche für das Fräsen zu finden.
  6. Bereiten Sie das zu ätzende Objekt vor und starten Sie den Ätzprozess.
  7. Stellen Sie die Parameter der FIB-Bilderfassung ein – Scangeschwindigkeit, Bildformat und -größe, Infoleiste.
  8. Erfassen Sie ein Bild und nehmen Sie optional Einstellungen daran vor.
  9. Beenden Sie die Arbeit mit FIB und GIS – schalten Sie die Emission aus, parken Sie das GIS und stoppen Sie die Heizung / Kühlung des GIS. Beenden Sie die Arbeit mit FIB und GIS – schalten Sie die Emission aus, parken Sie das GIS und stoppen Sie die Heizung / Kühlung des GIS.